安森美半導(dǎo)體現(xiàn)為下一代架構(gòu)提供的總包解決方案和完整的參考設(shè)計，是專為解決復(fù)雜的電源設(shè)計挑戰(zhàn)而設(shè)計的，這些挑戰(zhàn)來自新的工藝技術(shù)、更快的時鐘速度和更高的電流要求。當(dāng)安森美半導(dǎo)體的高度集成電源控制器、最先進(jìn)的VRM 10.1控制器、高性能門驅(qū)動器和針對計算機(jī)的MOSFET一起使用時，能提供最新工藝技術(shù)所要求的更低電壓電平、更嚴(yán)格容差和更高電流要求。



        芯片組和DDR存儲器電源解決方案 


        安森美半導(dǎo)體的新型高集成NCP5210控制器與NTD60N02R MOSFET為下一代計算機(jī)芯片組和DDR存儲提供全方位、可刻度的電源解決方案。NCP5210將VDDQ電源和MCH磁心電壓電源的兩個脈寬調(diào)制（PWM）降壓轉(zhuǎn)換器與VTT端頭電壓的2.1安培（A）源-匯線性電源穩(wěn)壓器相結(jié)合。NTD60N02R的低臨界電壓具有低門-驅(qū)動電壓的良好傳導(dǎo)特性。 

        CPU電源解決方案


        安森美半導(dǎo)體支持下一代芯片組與處理器的CPU或Vcore主處理器電源解決方案包括VRM 10.X 控制器的NCP5314系列。與NCP5351 或 NCP5355門驅(qū)動器以及公司的新型低電壓MOSFETS系列結(jié)合使用，該解決方案構(gòu)成一個高性能、高功效、多相的降壓穩(wěn)壓器，能滿足制造商的降壓式電壓穩(wěn)壓器（VRD）10.X電源規(guī)范。

        森美半導(dǎo)體應(yīng)用于CPU電源的MOSFET系列包括NTD60N02R 與 NTD110N02R，分別用于高/低端同步整流配置，可獲得很高電源轉(zhuǎn)換效率。為此，NTD60N02R具有很低的門控充電，而NTD110N02R具有極低通導(dǎo)電阻。事實(shí)上，該低端24伏（V）NTD110N02R在10V電壓下Rds(on)典型值為3.7 mohm--為業(yè)界Dpak器件最低的Rds(on)額定值之一，并提供業(yè)界最佳的效益指數(shù)--170 mohm-mC