我國將對LED照明節能產業結構進一步優化，建成一批特色鮮明的半導體照明產業集聚區。形成10-15家掌握核心技術、擁有較多自主知識產權和知名品牌、質量競爭力強的龍頭企業。

　　提高設備和技術國產化水平是《規劃》的重點內容。《規劃》提出，到2015年，LED芯片國產化率達80%以上，硅基LED芯片取得重要突破。核心器件的發光效率與應用產品的質量達到國際同期先進水平。大型MOCVD裝備、關鍵原材料實現國產化，檢測設備國產化率達70%以上。

　　為實現上述目標，有關部門將在推廣應用、技術創新、產業服務及重點工程等方面下功夫。其中，重點工程總共實施四項。一是照明產品應用示范與推廣工程，逐步加大財政補貼LED照明產品推廣力度，適時進入家居照明領域。二是產業化關鍵技術研發工程，大力發展大尺寸外延芯片制備、集成封裝等產業化關鍵技術。三是核心裝備及配套材料技術創新工程，著力推進核心裝備的引進消化吸收和再創新，力爭實現生產型MOCVD設備量產。四是標準檢測及認證體系建設工程，加快制定與出臺LED照明產品檢測方法、性能、安全、規格、接口等國家標準、行業標準。

　　《規劃》提出一系列具體的保障措施和鼓勵政策，值得特別關注的有三：其一，我國將實施半導體照明生產設備關鍵零部件及原材料的進口稅收優惠政策，建立行業“領跑者”制度;其二，逐步擴大財政補貼推廣力度，適時將球泡燈等量大面廣、技術成熟的LED照明產品納入補貼范圍;其三，推動實施一批政府辦公樓、醫院、賓館、商廈、機場、軌道交通、道路等公共照明應用工程，落實節能產品政府采購政策，政府機關和公共機構帶頭采用LED照明產品。