硅材料是最主要的元素半導體材料，包括硅多晶、硅單晶、硅片、硅外延片、非晶硅薄膜等，可直接或間接用于制備半導體器件。半導體廣泛應用于制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機、信息家電、網(wǎng)絡技術、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業(yè)的發(fā)展。

　　近年來，隨著世界各國對新能源開發(fā)的重視、光伏發(fā)電技術的提高以及光伏組件、多晶硅價格下降，全球光伏產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展。2008年全球光伏裝機總量僅為1,493萬千瓦，2016年該數(shù)字則達到了30,147萬千瓦，最近五年年均復合增長率高達39.64%。我國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展相對發(fā)達國家較晚，但近年來發(fā)展速度遠快于世界平均水平。2008年我國光伏并網(wǎng)裝機容量僅為14萬千瓦，2016年已達到7,742萬千瓦，復合增長率為132.57%。2016年我國多晶硅產(chǎn)量、硅片產(chǎn)能、電池片產(chǎn)能和太陽能電池組件產(chǎn)能約占全球總量的48.50%、81.90%、66.00%和68.00%。

2008-2016年我國光伏并網(wǎng)裝機容量、全球新增光伏并網(wǎng)裝機容量及各自增長率

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　　國家在十三五規(guī)劃中將太陽能等新能源列為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，且十三五電力規(guī)劃中提出：2020年，太陽能發(fā)電裝機達到11,000千瓦以上，其中分布式光伏6,000萬千瓦以上，光熱發(fā)電500萬千瓦。截至2016年底，我國分布式光伏累計裝機容量1,000萬千瓦8，市場缺口巨大。隨著我國光伏發(fā)電裝機容量的迅速提升，光伏發(fā)電的應用成本對上游硅片等原材料精密加工機床設備的加工效率也提出了更高的要求。切割硅片是電池片加工的重要步驟，硅片制造過程可能出現(xiàn)斷線、停機、厚度不均勻、粗糙度過大等問題，同時在硅片切割過程中材料損失較大，因此硅片切割技術對光伏發(fā)電成本有重要影響。公司主要產(chǎn)品多線切割機采用的多線切割技術是硅加工行業(yè)、太陽能光伏行業(yè)內(nèi)的標志性革新，它替代了原有的內(nèi)圓切割設備，所切晶片與內(nèi)圓切片工藝相比具有彎曲度（BOW）、翹曲度（WARP）小，平行度（TAPER）好，總厚度公差（TTA）離散性小，刃口切割損耗小，表面損傷層淺，晶片表面粗糙度小等等諸多優(yōu)點，加工效率的大幅提高，對光伏發(fā)電成本的降低起到了關鍵作用。