單晶 VS 多晶，行業(yè)公認(rèn)單晶有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。單多晶的晶體生長(zhǎng)工藝不同，單晶硅的晶面取向相同、無(wú)晶界，品質(zhì)優(yōu)異，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁雜、位錯(cuò)密布，晶格缺陷增多，導(dǎo)致單晶硅片與多晶硅片在晶體品質(zhì)、電學(xué)性能、機(jī)械性能方面與單晶相比有顯著差異。兩種材料的生產(chǎn)工藝與結(jié)構(gòu)決定了單晶具有以下優(yōu)勢(shì)：1)單晶硅比多晶硅材料具有更低的晶格缺陷 2）單晶硅片比多晶硅片有更高的機(jī)械強(qiáng)度，更低的碎片率 3）單晶硅電池比多晶硅電池的少子壽命和轉(zhuǎn)換效率更高，效率提升空間更大 4)單晶硅組件更高的集約性，更適用于屋頂?shù)扔邢薨惭b面積的分布式電站 5）單晶硅電站比多晶硅電站的實(shí)際發(fā)電量多 5-6%以上，單晶硅電站長(zhǎng)期衰減比多晶硅低至少 3%以上，單晶硅電站投資回報(bào)率比多晶電站至少高 3%左右。

單晶硅與多晶硅

最新公布的單多晶份額對(duì)比數(shù)據(jù)

　　單晶硅片技術(shù)的不斷進(jìn)步，成本也在不斷降低，多晶硅片的成本優(yōu)勢(shì)越來(lái)越小。歷經(jīng)前幾年的光伏市場(chǎng)波動(dòng)和搶裝熱潮，多晶以其低價(jià)和產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)迅速搶占國(guó)內(nèi)低端市場(chǎng)，而單晶以其品質(zhì)優(yōu)勢(shì)主要外銷(xiāo)歐美高端市場(chǎng)。然而，單晶比多晶擁有更多的技術(shù)進(jìn)步空間，且技術(shù)進(jìn)步速度不斷加快，導(dǎo)致單晶逐步在低端市場(chǎng)擴(kuò)大應(yīng)用，特別是隨著單晶產(chǎn)能的提升和硅片價(jià)格的持續(xù)下降，來(lái)自發(fā)電端投資回報(bào)意識(shí)的提升降低了盲目搶裝，單晶組件最近幾年在國(guó)內(nèi)開(kāi)始持續(xù)擴(kuò)大裝機(jī)量，并在發(fā)電端實(shí)實(shí)在在的對(duì)比中逐步呈現(xiàn)優(yōu)勢(shì)，使得國(guó)內(nèi)外光伏主流企業(yè)和投資商開(kāi)始注意到單晶硅片相比多晶硅片具有更高的性價(jià)比，單晶代表著未來(lái)的趨勢(shì)，這種認(rèn)可度 2016 年以來(lái)開(kāi)始呈現(xiàn)爆發(fā)之勢(shì)。

單晶硅價(jià)格逐漸下降

　　“十三五”期間，分布式光伏的大規(guī)模建設(shè)將促使單晶需求爆發(fā)。“十三五計(jì)劃”提出到 2020 年底，太陽(yáng)能發(fā)電裝機(jī)容量達(dá)到 160GW，其中光伏發(fā)電總裝機(jī)容量達(dá)到150GW，地面電站 80GW，分布式 70GW。據(jù)此規(guī)劃，十三五期間分布式電站裝機(jī)量有望從 2015 年的 6.06GW 大幅提升至 70GW，具有 10 倍的增長(zhǎng)空間。對(duì)于分布式光伏來(lái)說(shuō)，單晶組件具備集約化、美觀性、高收益性等多項(xiàng)特點(diǎn)，從日本的住宅裝機(jī)市場(chǎng)中可以看到，其單晶組件的比例達(dá) 70%。“十三五”期間分布式光伏的巨大增長(zhǎng)空間將進(jìn)一步刺激單晶技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用，從而對(duì)單晶產(chǎn)能構(gòu)成極大需求。單晶市場(chǎng)占有率從 2014 年的 5%上升到 2015 年的 15%，預(yù)計(jì) 2016 年提高到 25%左右。

　　目前全球量產(chǎn)多晶的轉(zhuǎn)換率在 17.5%-18%左右，P型單晶轉(zhuǎn)換率在 18.5%-19%左右，部分企業(yè)產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)超過(guò) 20%，N型單晶轉(zhuǎn)換率則更高，量產(chǎn)水平在 21%-24%左右。從未來(lái)發(fā)展看，多晶實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率提升空間并不大，量產(chǎn)水平與實(shí)驗(yàn)室水平將逐步趨近，而單晶則上升幅度相對(duì)較大。 并且可以預(yù)見(jiàn)未來(lái)數(shù)年領(lǐng)跑者計(jì)劃對(duì)組件效率的準(zhǔn)入門(mén)檻將會(huì)逐步提高，效率更高的單晶組件有望迎來(lái)更大發(fā)展空間。

單晶硅平均轉(zhuǎn)化率達(dá) 19.3% 高于多晶硅